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电子元器件详细资料 » IC[23396] » FDD18N20LZ
型号:FDD18N20LZ类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 200V DPAK-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V DPAK-3
系列UniFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C125 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs40nC @ 200V
输入电容(Ciss)0a0Vds1575pF @ 25V
功率_最大89W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市芯宇恒科技有限公司袁先生0755-85298085
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
瀚佳科技(深圳)有限公司李小姐0755-23915992/23140719
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FDD18N20LZ相关型号

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